Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
69нC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SIA445EDJT-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
19Вт
Сопротивление в открытом состоянии
31мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-12А
Ток стока в импульсном режиме
-50А
Отзывы не найдены