SIA456DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,6А; Idm: 2А; 12Вт

SIA456DJ-T1-GE3
133.60 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
Цена
98.02 ₽
75.10 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIA456DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,6А; Idm: 2А; 12Вт" 1.

Артикул производителя
SIA456DJ-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
14,5нC
Корпус
PowerPAK® SC70
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±16В
Напряжение сток-исток
200В
Обозначение производителя
SIA456DJ-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
12Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
2,6А
Ток стока в импульсном режиме

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены