SIA459EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -9А; Idm: -40А; 10Вт

SIA459EDJ-T1-GE3
0.00 
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIA459EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -9А; Idm: -40А; 10Вт" 1.

Артикул производителя
SIA459EDJ-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
30нC
Корпус
PowerPAK® SC70
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SIA459EDJ-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
10Вт
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-9А
Ток стока в импульсном режиме
-40А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены