Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
20нC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
20В
Обозначение производителя
SIA466EDJ-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
19,2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
13мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
25А
Ток стока в импульсном режиме
50А
Отзывы не найдены