SIA469DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А

SIA469DJ-T1-GE3
‍86‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
50+
100+
500+
Цена
67 ₽
59 ₽
48 ₽
42 ₽
37 ₽
33 ₽
Доступность: 2682 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "SIA469DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А" 1.

Артикул производителя
SIA469DJ-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
32нC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SIA469DJ-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
15,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
40мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-12А
Ток стока в импульсном режиме
-40А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены