SIA471DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -30,3А; Idm: -70А

SIA471DJ-T1-GE3
151.95 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
50+
Цена
119.01 ₽
94.31 ₽
62.87 ₽
49.40 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIA471DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -30,3А; Idm: -70А" 1.

Артикул производителя
SIA471DJ-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
27,8нC
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SIA471DJ-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
19,2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
24,1мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-30,3А
Ток стока в импульсном режиме
-70А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России