SIA483ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -60А

SIA483ADJ-T1-GE3
‍31‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
3000+
Цена
31 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SIA483ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -60А" 3000.

Артикул производителя
SIA483ADJ-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
26нC
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SIA483ADJ-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
17,9Вт
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-12А
Ток стока в импульсном режиме
-60А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены