Москва
 +7(993)080-09-37

SIA517DJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А

Написать отзыв
SIA517DJ-T1-GE3
145.02 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
20+
50+
100+
500+
1000+
Цена
104.23 ₽
89.12 ₽
71.75 ₽
61.18 ₽
45.32 ₽
43.81 ₽
Доступность: 2510 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIA517DJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIA517DJ-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
20/15нC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
12/-12В
Обозначение производителя
SIA517DJ-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
6,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
170/65мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
4,5/-4,5А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России