Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SIA537EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-20В; 4,5/-4,5А

Написать отзыв
SIA537EDJ-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
52.72 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3000+
Цена
52.72 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIA537EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-20В; 4,5/-4,5А" 3000.

Отложить
Артикул производителя
SIA537EDJ-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
25/16нC
Код производителя
SIA537EDJ-T1-GE3
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
12/-20В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
7,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
165/104мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
4,5/-4,5А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России