Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

SIA906EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 15А

Написать отзыв
SIA906EDJ-T1-GE3
5587 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3000+
Цена
55.87 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "SIA906EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 15А" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SIA906EDJ-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
12нC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
20В
Обозначение производителя
SIA906EDJ-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
7,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
63мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
4,5А
Ток стока в импульсном режиме
15А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены