Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

SIA910EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 12В; 4,5А; Idm: 20А

Написать отзыв
SIA910EDJ-T1-GE3
6061 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3000+
Цена
60.61 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "SIA910EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 12В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SIA910EDJ-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
16нC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
12В
Обозначение производителя
SIA910EDJ-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
7,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
42мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
4,5А
Ток стока в импульсном режиме
20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены