SIA921EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт

SIA921EDJ-T1-GE3
11458 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
3000+
Цена
100.38 ₽
79.55 ₽
66.29 ₽
62.50 ₽
60.61 ₽
58.71 ₽
56.82 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIA921EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт" 1.

Артикул производителя
SIA921EDJ-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
23нC
Корпус
PowerPAK® SC70
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SIA921EDJ-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
59мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-4,5А
Ток стока в импульсном режиме
-15А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены