SIAA02DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 52А; Idm: 100А; 19Вт

SIAA02DJ-T1-GE3
42.69 
Оптовые цены:
Кол-во
3000+
Цена
42.69 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIAA02DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 52А; Idm: 100А; 19Вт" 3000.

Артикул производителя
SIAA02DJ-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
33нC
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
20В
Обозначение производителя
SIAA02DJ-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
19Вт
Сопротивление в открытом состоянии
16,2мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
52А
Ток стока в импульсном режиме
100А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены