SIB457EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,8А; Idm: -25А; 8,4Вт; ESD

SIB457EDK-T1-GE3
10038 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
Цена
85.23 ₽
71.02 ₽
58.71 ₽
55.87 ₽
50.19 ₽
45.45 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIB457EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,8А; Idm: -25А; 8,4Вт; ESD" 1.

Артикул производителя
SIB457EDK-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
44нC
Корпус
PowerPAK® SC75
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SIB457EDK-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
8,4Вт
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-6,8А
Ток стока в импульсном режиме
-25А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены