Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37

SIDR170DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 200А

Написать отзыв
SIDR170DP-T1-RE3
267.19 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3000+
Цена
267.19 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIDR170DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 200А" 3000.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SIDR170DP-T1-RE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
0,14мкC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
SIDR170DP-T1-RE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
125Вт
Сопротивление в открытом состоянии
5,85мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
95А
Ток стока в импульсном режиме
200А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены