SIDR500EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 421А; Idm: 500А

SIDR500EP-T1-RE3
366.80 
Оптовые цены:
Кол-во
3000+
Цена
366.80 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIDR500EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 421А; Idm: 500А" 3000.

Артикул производителя
SIDR500EP-T1-RE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
180нC
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SIDR500EP-T1-RE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
150Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,68мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
421А
Ток стока в импульсном режиме
500А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены