Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
81нC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
SIDR668ADP-T1-RE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
125Вт
Сопротивление в открытом состоянии
7мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
104А
Ток стока в импульсном режиме
200А
Отзывы не найдены