Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
155нC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
20В
Обозначение производителя
SIE808DF-T1-E3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
125Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
60А
Ток стока в импульсном режиме
100А
Отзывы не найдены