SIE822DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 50А; Idm: 80А; 104Вт

SIE822DF-T1-E3
319.37 
Оптовые цены:
Кол-во
3000+
Цена
319.37 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIE822DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 50А; Idm: 80А; 104Вт" 3000.

Артикул производителя
SIE822DF-T1-E3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
78нC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
20В
Обозначение производителя
SIE822DF-T1-E3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
104Вт
Сопротивление в открытом состоянии
5,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
50А
Ток стока в импульсном режиме
80А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены