SIHB053N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 47А; Idm: 128А; 278Вт

SIHB053N60E-GE3
983.40 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
20+
50+
Цена
820.55 ₽
716.21 ₽
705.14 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHB053N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 47А; Idm: 128А; 278Вт" 1.

Артикул производителя
SIHB053N60E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
92нC
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
SIHB053N60E-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
278Вт
Сопротивление в открытом состоянии
54мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
47А
Ток стока в импульсном режиме
128А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены