SIHB100N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 19А; Idm: 73А; 208Вт

SIHB100N60E-GE3
779.45 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
Цена
656.13 ₽
596.05 ₽
545.45 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHB100N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 19А; Idm: 73А; 208Вт" 1.

Артикул производителя
SIHB100N60E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
50нC
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
SIHB100N60E-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
208Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
19А
Ток стока в импульсном режиме
73А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены