SIHB11N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; D2PAK,TO263

SIHB11N80AE-GE3
313.04 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
100+
Цена
292.49 ₽
270.36 ₽
224.51 ₽
211.86 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHB11N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; D2PAK,TO263" 1.

Артикул производителя
SIHB11N80AE-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
42нC
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
800В
Обозначение производителя
SIHB11N80AE-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
78Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме
22А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены