SIHB120N60E-T5-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт

SIHB120N60E-T5-GE3
942.29 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
800+
Цена
845.85 ₽
747.83 ₽
673.52 ₽
605.53 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHB120N60E-T5-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт" 1.

Артикул производителя
SIHB120N60E-T5-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
45нC
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
SIHB120N60E-T5-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
179Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
16А
Ток стока в импульсном режиме
66А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены