SIHB12N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; 147Вт; D2PAK,TO263

SIHB12N60E-GE3
197.63 
Оптовые цены:
Кол-во
500+
Цена
191.30 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHB12N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; 147Вт; D2PAK,TO263" 1.

Артикул производителя
SIHB12N60E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
58нC
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
SIHB12N60E-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
147Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
7,8А

Отзывы не найдены

Описание (sihb12n60.pdf, 219 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены