SIHB15N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 38А; 34Вт

SIHB15N65E-GE3
569.17 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
512.25 ₽
452.17 ₽
406.32 ₽
377.87 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHB15N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 38А; 34Вт" 1.

Артикул производителя
SIHB15N65E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
96нC
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
SIHB15N65E-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
34Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,28Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
10А
Ток стока в импульсном режиме
38А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены