SIHB21N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13А; Idm: 53А; 208Вт

SIHB21N65EF-GE3
739.92 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
Цена
681.42 ₽
603.95 ₽
586.56 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHB21N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13А; Idm: 53А; 208Вт" 1.

Артикул производителя
SIHB21N65EF-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
106нC
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
SIHB21N65EF-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
208Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,18Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
13А
Ток стока в импульсном режиме
53А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены