SIHB23N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 15А; Idm: 63А; 227Вт

SIHB23N60E-GE3
479.05 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
Цена
444.27 ₽
384.19 ₽
377.87 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHB23N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 15А; Idm: 63А; 227Вт" 1.

Артикул производителя
SIHB23N60E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
95нC
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
SIHB23N60E-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
227Вт
Сопротивление в открытом состоянии
158мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
15А
Ток стока в импульсном режиме
63А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены