SIHB24N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт

SIHB24N80AE-GE3
444.27 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
Цена
388.93 ₽
381.03 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHB24N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт" 1.

Артикул производителя
SIHB24N80AE-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
89нC
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
800В
Обозначение производителя
SIHB24N80AE-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
208Вт
Сопротивление в открытом состоянии
184мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
13А
Ток стока в импульсном режиме
51А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены