SIHB33N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 278Вт; D2PAK,TO263

SIHB33N60E-GE3
864.82 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
Цена
716.21 ₽
640.32 ₽
607.11 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHB33N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 278Вт; D2PAK,TO263" 1.

Артикул производителя
SIHB33N60E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Заряд затвора
150нC
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
SIHB33N60E-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
278Вт
Сопротивление в открытом состоянии
99мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
21А

Отзывы не найдены

Описание (sihb33n60e.pdf, 229 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены