SIHB33N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 100А; 278Вт

SIHB33N60EF-GE3
1 088.37 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
978.29 ₽
866.67 ₽
778.29 ₽
725.58 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHB33N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 100А; 278Вт" 1.

Артикул производителя
SIHB33N60EF-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
155нC
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
SIHB33N60EF-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
278Вт
Сопротивление в открытом состоянии
98мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
21А
Ток стока в импульсном режиме
100А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены