SIHB6N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,4А; Idm: 15А; 78Вт

SIHB6N80E-GE3
500.78 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
250+
500+
Цена
451.16 ₽
417.05 ₽
387.60 ₽
355.04 ₽
308.53 ₽
296.12 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHB6N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,4А; Idm: 15А; 78Вт" 1.

Артикул производителя
SIHB6N80E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
44нC
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
800В
Обозначение производителя
SIHB6N80E-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
78Вт
Сопротивление в открытом состоянии
940мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
5,4А
Ток стока в импульсном режиме
15А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены