SIHD12N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,6А; Idm: 21А; 114Вт

SIHD12N50E-GE3
327.27 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
100+
Цена
249.80 ₽
210.28 ₽
166.01 ₽
162.85 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHD12N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,6А; Idm: 21А; 114Вт" 1.

Артикул производителя
SIHD12N50E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
50нC
Корпус
DPAK, TO252
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
500В
Обозначение производителя
SIHD12N50E-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
114Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
6,6А
Ток стока в импульсном режиме
21А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены