SIHD1K4N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,6А; Idm: 5А; 63Вт; DPAK,TO252

SIHD1K4N60E-GE3
181.03 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
100+
500+
Цена
168.38 ₽
157.31 ₽
139.13 ₽
111.46 ₽
104.35 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHD1K4N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,6А; Idm: 5А; 63Вт; DPAK,TO252" 1.

Артикул производителя
SIHD1K4N60E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
7,5нC
Корпус
DPAK, TO252
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
SIHD1K4N60E-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
63Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
2,6А
Ток стока в импульсном режиме

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены