SIHD2N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 3,6А; 62,5Вт; ESD

SIHD2N80AE-GE3
205.53 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
75+
Цена
184.98 ₽
164.43 ₽
161.26 ₽
Доступность: 3 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHD2N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 3,6А; 62,5Вт; ESD" 1.

Артикул производителя
SIHD2N80AE-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Заряд затвора
10,5нC
Корпус
DPAK, TO252
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
800В
Обозначение производителя
SIHD2N80AE-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
62,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
1,8А
Ток стока в импульсном режиме
3,6А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены