SIHD3N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,9А; Idm: 5,5А; 69Вт

SIHD3N50D-GE3
159.68 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
250+
500+
Цена
107.51 ₽
92.49 ₽
74.31 ₽
68.77 ₽
64.82 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHD3N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,9А; Idm: 5,5А; 69Вт" 1.

Артикул производителя
SIHD3N50D-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
12нC
Корпус
DPAK, TO252
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
500В
Обозначение производителя
SIHD3N50D-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
69Вт
Сопротивление в открытом состоянии
3,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
1,9А
Ток стока в импульсном режиме
5,5А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены