Москва
 
+7 (993) 080-09-37
 

SIHG11N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; Idm: 32А; 179Вт; TO247AC

Написать отзыв
SIHG11N80E-GE3
1 16951 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
1 052.08 ₽
928.98 ₽
835.23 ₽
779.36 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIHG11N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; Idm: 32А; 179Вт; TO247AC" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SIHG11N80E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
88нC
Корпус
TO247AC
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
800В
Обозначение производителя
SIHG11N80E-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
179Вт
Сопротивление в открытом состоянии
440мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
8А
Ток стока в импульсном режиме
32А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены