SIHG17N60D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 10,7А; Idm: 48А; 277,8Вт

SIHG17N60D-GE3
592.25 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
531.78 ₽
469.77 ₽
423.26 ₽
393.80 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHG17N60D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 10,7А; Idm: 48А; 277,8Вт" 1.

Артикул производителя
SIHG17N60D-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
90нC
Корпус
TO247AC
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
SIHG17N60D-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
277,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,34Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
10,7А
Ток стока в импульсном режиме
48А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены