SIHG21N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 38А; 179Вт; TO247AC

SIHG21N80AE-GE3
883.20 
Оптовые цены:
Кол-во
2+
5+
25+
Цена
849.60 ₽
769.60 ₽
553.60 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHG21N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 38А; 179Вт; TO247AC" 1.

Артикул производителя
SIHG21N80AE-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
72нC
Корпус
TO247AC
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
800В
Обозначение производителя
SIHG21N80AE-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
179Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,235Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
11А
Ток стока в импульсном режиме
38А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены