SIHG80N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 51А; Idm: 268А; 520Вт; TO247AC

SIHG80N60E-GE3
2 258.91 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
Цена
1 982.95 ₽
1 972.09 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHG80N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 51А; Idm: 268А; 520Вт; TO247AC" 1.

Артикул производителя
SIHG80N60E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
443нC
Корпус
TO247AC
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
SIHG80N60E-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
520Вт
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
51А
Ток стока в импульсном режиме
268А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены