SIHG80N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 51А; Idm: 254А; 520Вт; TO247AC

SIHG80N60EF-GE3
3 334.88 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
2 993.80 ₽
2 654.26 ₽
2 384.50 ₽
2 223.26 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHG80N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 51А; Idm: 254А; 520Вт; TO247AC" 1.

Артикул производителя
SIHG80N60EF-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
400нC
Корпус
TO247AC
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
SIHG80N60EF-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
520Вт
Сопротивление в открытом состоянии
32мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
51А
Ток стока в импульсном режиме
254А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены