SIHH080N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 96А; 184Вт

SIHH080N60E-T1-GE3
801.55 
Оптовые цены:
Кол-во
2+
5+
10+
25+
50+
Цена
768.99 ₽
705.43 ₽
643.41 ₽
562.79 ₽
536.43 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHH080N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 96А; 184Вт" 1.

Артикул производителя
SIHH080N60E-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
63нC
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
SIHH080N60E-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
184Вт
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
20А
Ток стока в импульсном режиме
96А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены