SIHH100N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 18А; Idm: 63А; 174Вт

SIHH100N60E-T1-GE3
948.62 
Оптовые цены:
Кол-во
25+
50+
Цена
845.85 ₽
806.32 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHH100N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 18А; Idm: 63А; 174Вт" 1.

Артикул производителя
SIHH100N60E-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
53нC
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
SIHH100N60E-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
174Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
18А
Ток стока в импульсном режиме
63А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены