SIHH11N65E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8А; Idm: 27А; 130Вт

SIHH11N65E-T1-GE3
736.76 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
100+
Цена
665.61 ₽
629.25 ₽
577.08 ₽
502.77 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHH11N65E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8А; Idm: 27А; 130Вт" 1.

Артикул производителя
SIHH11N65E-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
68нC
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
SIHH11N65E-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
130Вт
Сопротивление в открытом состоянии
363мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме
27А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены