SIHH21N65E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12,8А; Idm: 53А; 156Вт

SIHH21N65E-T1-GE3
1 217.39 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
1 095.65 ₽
967.59 ₽
869.57 ₽
811.07 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHH21N65E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12,8А; Idm: 53А; 156Вт" 1.

Артикул производителя
SIHH21N65E-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
99нC
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
SIHH21N65E-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
156Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,17Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
12,8А
Ток стока в импульсном режиме
53А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены