SIHH26N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 50А; 202Вт

SIHH26N60E-T1-GE3
866.40 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
Цена
755.73 ₽
695.65 ₽
630.83 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHH26N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 50А; 202Вт" 1.

Артикул производителя
SIHH26N60E-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
116нC
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
SIHH26N60E-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
202Вт
Сопротивление в открытом состоянии
135мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
16А
Ток стока в импульсном режиме
50А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены