SIHJ10N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 89Вт; PowerPAK® SO8

SIHJ10N60E-T1-GE3
436.36 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
Цена
369.96 ₽
330.43 ₽
308.30 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHJ10N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 89Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Артикул производителя
SIHJ10N60E-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
50нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
SIHJ10N60E-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
89Вт
Сопротивление в открытом состоянии
313мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока

Отзывы не найдены

Описание (sihj10n60e.pdf, 188 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены