SIHJ6N65E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,6А; Idm: 12А; 74Вт

SIHJ6N65E-T1-GE3
352.57 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
317.79 ₽
279.84 ₽
252.96 ₽
235.57 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHJ6N65E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,6А; Idm: 12А; 74Вт" 1.

Артикул производителя
SIHJ6N65E-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
32нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
SIHJ6N65E-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
74Вт
Сопротивление в открытом состоянии
868мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
3,6А
Ток стока в импульсном режиме
12А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены