SIHJ8N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; Idm: 18А; 89Вт

SIHJ8N60E-T1-GE3
442.69 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
100+
Цена
358.89 ₽
314.62 ₽
260.87 ₽
235.57 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHJ8N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; Idm: 18А; 89Вт" 1.

Артикул производителя
SIHJ8N60E-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
44нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
SIHJ8N60E-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
89Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,52Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме
18А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены