SIHK055N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 26А; Idm: 110А; 236Вт

SIHK055N60EF-T1GE3
1 310.67 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
Цена
1 247.43 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHK055N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 26А; Idm: 110А; 236Вт" 1.

Артикул производителя
SIHK055N60EF-T1GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
90нC
Корпус
PowerPAK® 1012
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
SIHK055N60EF-T1GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
236Вт
Сопротивление в открытом состоянии
58мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
26А
Ток стока в импульсном режиме
110А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены