SIHK125N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 54А; 132Вт

SIHK125N60EF-T1GE3
70423 
Оптовые цены:
Кол-во
2000+
Цена
704.23 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SIHK125N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 54А; 132Вт" 2000.

Артикул производителя
SIHK125N60EF-T1GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
45нC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
SIHK125N60EF-T1GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
132Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,125Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
21А
Ток стока в импульсном режиме
54А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены